特許
J-GLOBAL ID：200903074668275280
酸化亜鉛薄膜の製造方法、それを用いた半導体素子基板の製造方法及び光電変換素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-008685
公開番号（公開出願番号）：特開平10-259497
出願日： 1998年01月20日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：
【要約】【課題】 光電変換素子の光閉じ込め層に適用するのに好適な凹凸を有する酸化亜鉛層を形成する。【解決手段】 線状の凹凸を表面に有する導電性基体と、前記基体を少なくとも硝酸イオンと亜鉛イオンを含有する水溶液に浸漬して液相堆積によって前記基体上に酸化亜鉛薄膜を形成することを特徴とする酸化亜鉛薄膜の製造方法、それを用いた半導体素子基板の製造方法、及び光起電力素子の製造方法を提供する。
請求項（抜粋）：
線状の凹凸を表面に有する導電性基体を少なくとも硝酸イオンと亜鉛イオンを含有する水溶液に浸漬して液相堆積によって前記基体上に酸化亜鉛薄膜を形成することを特徴とする酸化亜鉛薄膜の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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