特許
J-GLOBAL ID:200903074676577792

基板の処理方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 土井 育郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-065760
公開番号(公開出願番号):特開平10-258404
出願日: 1997年03月19日
公開日(公表日): 1998年09月29日
要約:
【要約】【課題】 ホルムアルデヒド発散性樹脂を含有する基板の有効な処理方法を提供し、当該基板のホルムアルデヒド発散量を少なくする。【解決手段】 基板1に先ず電離放射線4を照射し、しかる後に当該基板1を加熱する。この基板1の加熱を真空状態下で行うことが好ましい。基板中の遊離ホルムアルデヒドを強制的に放出させることができる。基板自体の性能に影響を与えたり、基板の製造及び後加工の適性に影響することもない。
請求項(抜粋):
ホルムアルデヒド発散性樹脂を含有する基板のホルムアルデヒド量を低減させる処理方法であって、前記基板に先ず電離放射線を照射し、しかる後に前記基板を加熱することを特徴とする基板の処理方法。
IPC (4件):
B27K 5/00 ,  B32B 27/16 ,  C08J 7/00 301 ,  C08J 7/00 305
FI (5件):
B27K 5/00 E ,  B27K 5/00 F ,  B32B 27/16 ,  C08J 7/00 301 ,  C08J 7/00 305

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