特許
J-GLOBAL ID:200903074677129130

太陽電池セルの製造方法およびこの方法で製造された太陽電池セル

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 好宮 幹夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-273280
公開番号(公開出願番号):特開2002-083983
出願日: 2000年09月08日
公開日(公表日): 2002年03月22日
要約:
【要約】【課題】 安定した高効率の太陽電池セルを製造でき、太陽電池セル製造の生産性およびコストを改善できる太陽電池セルの製造方法を提供する。【解決手段】 太陽電池セルの製造方法において、ガリウムをドープしたp型シリコン基板を用い、(1)該基板の表面にりん・ドーパントを含んだ有機チタン化合物塗布層を形成し、裏面にアルミニウム層を形成した後、拡散熱処理を施し、該シリコン基板の表面に接合層(n+)とTiO2反射防止膜を、裏面に電界層(p+)を同時に形成する工程、および/または(2)前記基板の表面のTiO2反射防止膜側に電極下部における選択拡散用のSb合金ドーパントを含んだ銀ペースト塗布層を形成し、裏面の電界層(p+)側に銀ペースト塗布層を形成した後、該シリコン基板を焼成して、両面に銀電極を同時に形成する工程、を含む太陽電池セルの製造方法。および、この方法で製造された太陽電池セル。
請求項(抜粋):
太陽電池セルの製造方法において、ガリウムをドープしたp型シリコン基板を用い、(1)該基板の表面にりん・ドーパントを含んだ有機チタン化合物塗布層を形成し、裏面にアルミニウム層を形成した後、拡散熱処理を施し、該シリコン基板の表面に接合層(n+)とTiO2反射防止膜を、裏面に電界層(p+)を同時に形成する工程、および/または(2)前記基板の表面のTiO2反射防止膜側に電極下部における選択拡散用のSb合金ドーパントを含んだ銀ペースト塗布層を形成し、裏面の電界層(p+)側に銀ペースト塗布層を形成した後、該シリコン基板を焼成して、両面に銀電極を同時に形成する工程、を含むことを特徴とする太陽電池セルの製造方法。
Fターム (9件):
5F051AA02 ,  5F051AA16 ,  5F051BA11 ,  5F051BA14 ,  5F051CB18 ,  5F051CB27 ,  5F051FA06 ,  5F051FA10 ,  5F051GA04

前のページに戻る