特許
J-GLOBAL ID：200903074678178178
ビーム形成回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-115603
公開番号（公開出願番号）：特開平10-308623
出願日： 1997年05月06日
公開日（公表日）： 1998年11月17日
要約：
【要約】【課題】 ビーム形成回路の小型化とMMIC移相器等を一体形成する高密度実装化、および接続コネクタまたは接続ケーブル用いないビーム形成回路を実現する。【解決手段】 分配回路と合成回路をそれぞれに地導体層をもつマイクロストリップ線路にて構成され、上記地導体層間にMMIC移相器またはMMIC減衰器等の制御信号線路を配置するための任意の厚さの基板層が設けられ、分配信号端子と合成信号端子とをVIAホールにて構成することで、電力合成器と電力分配器とを接続するための接続コネクタを不要にし、構成が簡単で、また部品点数が少ないビーム形成回路を一体化多層基板で実現することを可能とした。
請求項（抜粋）：
複数の誘電体層からなる一体化された誘電体基板と、上記基板の一方の平面上に設けられ、入力端子の入力信号をM(Mは2以上の整数)個の分配信号端子に分配するN(Nは2以上の整数)個の分配回路を形成するマイクロストリップ線路と、上記基板のもう一方の平面上に設けられ、上記のN個の合成信号端子を合成するM個の合成回路を形成するマイクロストリップ線路と、上記各々のマイクロストリップ線路の地導体間に設けられ、DC線路をプリントした複数層からなる誘電体基板とで構成され、上記分配信号端子と合成信号端子を層が構成される基板平面に対して垂直方向に上記各々の地導体およびDC線路と接触しないようにVIAホールまたはスルーホールを誘電体基板内部に具備したことを特徴とするビーム形成回路。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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