特許
J-GLOBAL ID:200903074681433561

新規な金属錯体、その製造方法およびその用途

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-050113
公開番号(公開出願番号):特開2007-106742
出願日: 2006年02月27日
公開日(公表日): 2007年04月26日
要約:
【課題】使用寿命に優れかつ太陽電池における発電機能やエレクトロルミネッセンス材料において優れた発光機能を発現しうる、新規な金属錯体、その製造方法およびその用途を提供する。【解決手段】下記一般式(1)で表される金属錯体。 ((C5R4N)2)XM (1)(式中、Rは水素原子またはハロゲン原子を示し、Mは周期表10族元素の金属原子を示し、xは0<x≦2を示す。)周期表10族元素を含む化合物と4,4’-ビピリジル誘導体を反応させる該金属錯体の製造法。該金属錯体を含む高分子組成物および発電層に該金属錯体を含む太陽電池。【選択図】なし
請求項(抜粋):
下記一般式(1)で表される金属錯体。 ((C5R4N)2)XM (1) (式中、Rは水素原子またはハロゲン原子を示し、Mは周期表10族元素の金属原子を示し、xは0<x≦2を示す。)
IPC (2件):
C07D 213/22 ,  H01M 14/00
FI (2件):
C07D213/22 ,  H01M14/00 P
Fターム (20件):
4C055AA01 ,  4C055BA01 ,  4C055CA01 ,  4C055DA06 ,  4C055DA30 ,  4C055DB02 ,  4C055EA01 ,  4C055GA02 ,  4H050AA01 ,  4H050AA03 ,  4H050AB78 ,  4H050WB14 ,  4H050WB23 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032AS19 ,  5H032CC14 ,  5H032EE04 ,  5H032EE16 ,  5H032EE20

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