特許

J-GLOBAL ID：200903074682027982

異物検査方法及びその装置

発明者： 野口 稔 ,  西山 英利 ,  酒井 恵寿 ,  森岡 洋
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立電子エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-072604
公開番号（公開出願番号）：特開平8-271437
出願日： 1995年03月30日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【目的】本発明の目的は、チップ比較処理によって異物を高感度で検査できるようにした異物検査方法及びその装置を提供することにある。【構成】本発明は、光源31から照射された光の強度分布に対して複数の曲線状透過部241’を形成したシェーディング補正板231cにより直線状の幅方向にほぼ同じ位相分布にして直線状の長手方向に照明強度がほぼ一様になるように補正して集光光学系33、34により繰返しチップが形成された試料4上に斜め方向から前記直線状に集光して照射する照明光学系31と、該照明光学系31で照射された試料上からの散乱反射光を集光して少なくとも試料上から発生する少なくとも0次回折光を遮光する空間フィルタ39を通して得られる散乱反射光をリニアイメージセンサ40で受光して信号に変換する検出光学系36と、該検出光学系のリニアイメージセンサから変換された信号を繰り返すチップ間で比較して不一致により試料上の異物として検査するチップ間比較手段190とを備えたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

光源から照射された光の強度分布に対して複数の曲線状透過部を形成したシェーディング補正板により直線状の幅方向にほぼ同じ位相分布にして直線状の長手方向に照明強度がほぼ一様になるように補正して集光光学系により繰返しチップが形成された試料上に斜め方向から前記直線状に集光して照射し、この照射された試料上からの散乱反射光を検出光学系で集光してリニアイメージセンサで受光して信号に変換し、これら変換された信号を繰り返すチップ間で比較して不一致により試料上の異物として検査することを特徴とする異物検査方法。