特許

J-GLOBAL ID：200903074682092997

ステンシルマスク及びステンシルマスクの形成方法

発明者： 小場 文博
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 開口 宗昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-283545
公開番号（公開出願番号）：特開2001-109136
出願日： 1999年10月04日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】本発明は、ステンシルマスクの裏面からのエッチング(バックエッチング)時のエッチングレートのウエハ面内均一性を向上させ、パターン位置精度の高いステンシルマスクを提供することを課題とする。【解決手段】 ステンシルマスク作製用のSOI基板のシリコン絶縁膜11の下に高濃度ボロンシリコン層21、低濃度ボロンシリコン層22を構成して、KOH溶液等のアルカリ溶液でウエットエッチングする。高濃度ボロンシリコン層21の働きによりエッチングレートのバラツキが抑えられ、均一化が図られる。

請求項（抜粋）：

マスクパターン形成層と、前記マスクパターン形成層の下部の所定位置に連続して形成された支持台とを備えるステンシルマスクにおいて、前記支持台の下端から上方へ向けて、特定のエッチング液に対するエッチングレートが比較的高いシリコン層から比較的低いシリコン層へと積層される3層以上のシリコン層と、前記3層以上のシリコン層の上に積層される他のシリコン層とを備え、少なくとも下端から2層は前記支持台を構成し、少なくとも最上部の層は前記マスクパターンを構成することを特徴とするステンシルマスク。

IPC (2件)：

G03F 1/16 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 1/16 A ,  G03F 1/16 B ,  H01L 21/30 531 M ,  H01L 21/30 541 S

Fターム (18件)：

2H095BA08 ,  2H095BA10 ,  2H095BB01 ,  2H095BB15 ,  2H095BB16 ,  2H095BB25 ,  2H095BC19 ,  2H095BC24 ,  2H095BC27 ,  2H095BC30 ,  5F046GD03 ,  5F046GD04 ,  5F046GD07 ,  5F046GD10 ,  5F046GD15 ,  5F046GD16 ,  5F056AA22 ,  5F056FA05