特許
J-GLOBAL ID：200903074683559546
電界効果トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-013919
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216381
出願日： 1999年01月22日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：
【要約】【課題】 ドレイン耐圧を高くし、プロセス工程を単純にし、チャンネル抵抗を低くする。【解決手段】 N+型SiCからなるワイドバンドギャップ半導体基板210上にN型SiCからなるエピタキシャル領域220を形成し、エピタキシャル領域220上にN型SiCからなるチャンネル領域230およびN+型SiCからなるソース領域240を積層して形成し、エピタキシャル領域220の一主面側の所定の領域にエピタキシャル領域220に達する複数の溝250を形成し、溝250の隣接部にP型SiCからなる半導体領域260を形成し、溝250内にゲート絶縁膜270を介してゲート電極280を形成し、層間絶縁膜290によりゲート電極280と絶縁してソース電極300を形成し、ワイドバンドギャップ半導体基板210の裏面にドレイン電極310を形成する。
請求項（抜粋）：
Siよりバンドギャップの広い半導体からなるワイドバンドギャップ半導体基板を有する電界効果トランジスタにおいて、第1導伝型の上記ワイドバンドギャップ半導体基板の一主面の所定の領域に複数の溝を形成し、隣接する上記溝の間に第1導伝型のチャンネル領域を形成し、上記溝に隣接した部分に第2導伝型の半導体領域を形成し、上記溝内にゲート絶縁膜を形成し、上記ゲート絶縁膜により上記チャンネル領域と絶縁してゲート電極を形成したことを特徴とする電界効果トランジスタ。
FI (3件)：
H01L 29/78 652 C
, H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 653 A
