特許
J-GLOBAL ID：200903074684058451
半導体製造装置用静電チャック
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
植木 久一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-087244
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288376
出願日： 1995年04月12日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウエハと接触しても構成金属元素による汚染が発生することがなく、しかも優れた耐ガス腐食性及び耐プラズマ性を発揮する静電チャックを提供する。【構成】 基板上に絶縁層が形成された静電チャックであって、上記絶縁層は、その上層が非晶質なAl酸化物から構成されている。前記上層は、高周波マグネトロンスパッタリング法により0.10〜10μmの厚さで形成されることが好ましく、前記絶縁層は、その下層がAl酸化物からなることが望ましく、該Al酸化物としてはAlまたはAl合金の陽極酸化物を用いることが推奨される。
請求項（抜粋）：
基板上に絶縁層が形成された半導体製造装置用静電チャックであって、上記絶縁層は、その上層が非晶質なAl酸化物から構成されたものであることを特徴とする半導体製造装置用静電チャック。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/68 R
, B23Q 3/15 D
