特許

J-GLOBAL ID：200903074686095869

半導体レーザ装置

発明者： 山本 剛之
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-002401
公開番号（公開出願番号）：特開平6-209139
出願日： 1993年01月11日
公開日（公表日）： 1994年07月26日
要約：

【要約】【目的】本発明は、光閉込め係数Γを低下させることなく保持したままで、高温環境下での光ガイド層での再結合電流を抑制し、室温から高温に至る広い範囲において低閾値電流で発振する半導体レーザ装置を提供することを目的とする。【構成】バリア層10と井戸層12とが交互に積層された量子井戸活性層14を挟んで、一方にn-光ガイド層16が、他方にバリア層12よりも電子のエネルギーを基準として高い伝導帯下端Ecをもつp-光ガイド層18が設けられ、これらn-光ガイド層16とp-光ガイド層18の外側にはそれぞれn-クラッド層20とp-クラッド層22が設けられている。量子井戸活性層14とn-光ガイド層16との境界に、その価電子帯上端Evがn-光ガイド層16の価電子帯上端Evよりもホールのエネルギーを基準として高くなっているホールブロック層24が設けられている。

請求項（抜粋）：

n型クラッド層と、前記n型クラッド層上に形成されたn型光ガイド層と、前記n型光ガイド層上に形成され、井戸層とバリア層とが交互に積層された量子井戸活性層と、前記量子井戸活性層上に形成されたp型光ガイド層と、前記p型光ガイド層上に形成されたp型クラッド層とを有する半導体レーザ装置において、前記量子井戸活性層と前記n型光ガイド層との境界又は前記量子井戸活性層との境界近傍の前記n型光ガイド層中に、n型又はi型のホールブロック層が設けられ、前記ホールブロック層の価電子帯上端のエネルギー準位Ev が、前記n型光ガイド層及び前記バリア層の価電子帯上端のエネルギー準位Ev よりもホールのエネルギーを基準として高くなっていることを特徴とする半導体レーザ装置。