特許
J-GLOBAL ID：200903074696158940
薄膜気相成長装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-353776
公開番号（公開出願番号）：特開平5-166736
出願日： 1991年12月18日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：
【要約】【目的】 内部に抵抗加熱ヒ-タを有するサセプタの上にウエハ、トレイを置き上方から原料ガスを吹き込んで薄膜気相成長させる装置に於いて、成膜後のサセプタ、トレイ、ウエハの冷却を短時間で行うこと。【構成】 サセプタを支持する回転シャフトの内部に固定シャフトを設け、固定シャフトを通して冷却用のガスを導入し、ヒ-タ、サセプタなどに吹き付けてこれらを急速冷却するようにした。
請求項（抜粋）：
真空に引くことのできるリアクタと、リアクタの内部に設けられウエハを保持するための中空のサセプタと、サセプタを水平方向に回転可能に支持する中空の回転シャフトと、回転シャフトの内部に設けられる中空の固定シャフトと、サセプタの内部に設けられる抵抗加熱ヒ-タと、抵抗加熱ヒ-タに電力を供給するため固定シャフトの内部に設けられる電極とを含み、中空の固定シャフトから気体をサセプタの内部へ導入しヒ-タに吹き付けてこれを冷却できるようにした事を特徴とする薄膜気相成長装置。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C23C 16/56
, C30B 25/12
, H01L 21/31
