特許

J-GLOBAL ID：200903074698046456

ヘテロ接合電界効果トランジスタ

発明者： 稲井 誠
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-313678
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124663
出願日： 2000年10月13日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：

【要約】【課題】マイクロ波からミリ波領域で動作する発振器やパワーアンプに用いるFETに関し、高い順方向性電圧を有し、かつ、直列抵抗の小さいFETを提供する。【解決手段】ゲート電極の下面を障壁層内に埋め込ませた電界効果トランジスタにおいて、障壁層内に少なくとも1層のp型層とn型層によるpn接合を形成することで、FETの動作時の直列抵抗を小さくしつつ、高い順方向性電圧を実現したヘテロ接合電界効果トランジスタ。

請求項（抜粋）：

半絶縁性基板上にバッファ層、チャンネル層、障壁層、コンタクト層を有するヘテロ接合電界効果トランジスタにおいて、前記コンタクト層と前記チャンネル層の間の障壁層にゲート電極の下面が埋め込まれ、前記障壁層内が少なくとも1層のp型層と少なくとも1層のn型層とが隣接して形成されていることを特徴とするヘテロ接合電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

Fターム (22件)：

5F102FA01 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ06 ,  5F102GK04 ,  5F102GK05 ,  5F102GK06 ,  5F102GM05 ,  5F102GM06 ,  5F102GM08 ,  5F102GM09 ,  5F102GN06 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GS02 ,  5F102GS04 ,  5F102GT01 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01