特許
J-GLOBAL ID：200903074698921527
SiC単結晶の成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-042708
公開番号（公開出願番号）：特開平6-340498
出願日： 1994年03月14日
公開日（公表日）： 1994年12月13日
要約：
【要約】【目的】 高品質SiCウェハを作製するため、結晶欠陥や不純物の少ないSiC単結晶インゴットを成長させる方法を提供する。【構成】 粉末状SiC原料を加熱昇華させて原料温度より低い温度に保ったSiC単結晶よりなる種結晶上にSiC単結晶を成長させる昇華再結晶法において、該粉末状SiC原料の温度を成長時間の経過とともに徐々に下げることにより成長を行うSiC単結晶の成長方法により達成される。
請求項（抜粋）：
粉末状SiC原料を加熱昇華させて原料温度より低い温度に保ったSiC単結晶よりなる種結晶上にSiC単結晶を成長させる昇華再結晶法において、該粉末状SiC原料の温度を成長時間の経過とともに徐々に下げることにより成長を行うことを特徴とするSiC単結晶の成長方法。
IPC (3件)：
C30B 29/36
, C30B 23/02
, H01L 33/00
