特許
J-GLOBAL ID：200903074702328305
レジストパターン形成方法、それを用いた半導体装置の製造方法、および半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
児玉 俊英
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-193978
公開番号（公開出願番号）：特開2001-023874
出願日： 1999年07月08日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板上の所望の領域のレジストパターンを、リソグラフィの限界を超えて、容易に寸法制御性良く微細化する。【解決手段】 リソグラフィ技術によりレジストパターン3aを形成した後、有機ガス4雰囲気中で電子ビーム5を基板1表面の所望の領域に照射し、その領域において、レジストパターン3aの枠付けを施し、抜きパターン寸法の微細化された枠付けレジストパターン3cを得る。
請求項（抜粋）：
レジスト膜を写真製版工程によりパターニングした後、該レジストパターンに、有機ガス雰囲気にて電子ビームを照射し、該レジストパターンの膜表面に上記有機ガス成分による堆積物を形成して枠付けすることを特徴とするレジストパターン形成方法。
Fターム (2件)：
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