特許
J-GLOBAL ID：200903074705643295
電力半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-044783
公開番号（公開出願番号）：特開平10-229288
出願日： 1997年02月13日
公開日（公表日）： 1998年08月25日
要約：
【要約】【課題】 電力半導体装置の放熱の改善【解決手段】 片面に樹脂絶縁層で絶縁された金属ベース1と、前記絶縁層上に形成される金属パターンとで形成する金属プリント基板1と、前記金属プリント基板1上に搭載され、アルミワイヤーボンディングで配線された電力半導体チップ2と、前記電力半導体チップ2と前記金属プリント基板1で形成する電力回路を制御する制御回路を搭載した制御プリント基板3と、前記金属プリント基板1と前記制御プリント基板3を平行な位置に固定するケース4とで構成する電力半導体装置において、前記樹脂ケース4に通風口11、12を2個具備することを特徴とする電力半導体装置である。
請求項（抜粋）：
片面の樹脂絶縁層で絶縁された金属ベースと、前記絶縁層上に形成される金属パターンとで形成する金属プリント基板と、前記金属プリント基板上に搭載され、アルミワイヤーボンディングで配線された電力半導体チップと、前記電力半導体チップと前記金属プリント基板で形成する電力回路を制御する制御回路を搭載した制御プリント基板と、前記金属プリント基板と前記制御プリント基板を平行の位置に固定する樹脂ケースとで構成する電力半導体装置において、前記樹脂ケースに通風口を少なくとも2個具備することを特徴とする電力半導体装置。
FI (2件)：
H05K 7/20 G
, H05K 7/20 F
