特許

J-GLOBAL ID：200903074707259611

半導体基板の面取加工装置

発明者： 島ノ江 宗治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-121879
公開番号（公開出願番号）：特開平10-315107
出願日： 1997年05月13日
公開日（公表日）： 1998年12月02日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板の面取加工と面取部分の鏡面加工とを可能にして、エッチング処理を経ることなく面取部分に付着した研削粒子を除去又は減少させることができる半導体基板の面取加工装置を提供する。【解決手段】 半導体基板Wを保持して回転させる基板回転機構1と面取及び鏡面研磨機構2とを有し、半導体基板Wを面取及び鏡面研磨機構2のダイヤモンド砥石20で面取り研削した後、半導体基板Wの面取部や周面部をCeO2の固定砥粒で形成した鏡面研磨体30によって鏡面研磨することで、ダイヤモンド砥石20の加工時に半導体基板Wに付着した研削粒子を除去することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板を保持して回転可能な基板保持体と、上記半導体基板の表,裏面周縁を面取り研削すると共に半導体基板の径を決定する周面を研削するダイヤモンド砥石と、を具備する半導体基板の面取加工装置において、鏡面研磨用の固定砥粒で形成され、上記半導体基板の回転軸に平行な中心軸周りで回転すると共にこの中心軸方向に移動可能であり、且つ、上記中心軸周りの周面と、この周面の一方端に設けられ、上記半導体基板の表面取部と略同一角度で傾いた第1の傾斜面と、上記周面の他方端部に設けられ、上記半導体基板の裏面取部と略同一角度で傾いた第2の傾斜面とを有する鏡面研磨体を設けた、ことを特徴とする半導体基板の面取加工装置。

IPC (2件)：

B24B 9/00 601 ,  B24B 41/06

FI (2件)：

B24B 9/00 601 H ,  B24B 41/06 L