特許

J-GLOBAL ID：200903074708490589

非晶質シリコン太陽電池

発明者： 高野 暁己 ,  村田 正義 ,  宇田 和孝 ,  竹内 良昭 ,  西宮 立享
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-005465
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208788
出願日： 1999年01月12日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】電池効率を向上することを課題とする。【解決手段】基板11上に透明電極12、非晶質シリコンからなる発電膜13及び裏面電極14を順次積層してなる非晶質シリコン太陽電池において、前記透明電極12と接する側の前記基板11の主面を凹凸な面11aとし、かつその凹凸間隔を0.6μm以上、凹凸の高低差を前記間隔の0.4倍以上としたことを特徴とする非晶質シリコン太陽電池。

請求項（抜粋）：

基板上に透明電極、非晶質シリコンからなる発電膜及び裏面電極を順次積層してなる非晶質シリコン太陽電池において、前記透明電極と接する側の前記基板の主面を凹凸な面とし、かつその凹凸間隔を0.6μm以上、凹凸の高低差を前記間隔の0.4倍以上としたことを特徴とする非晶質シリコン太陽電池。

Fターム (4件)：

5F051AA05 ,  5F051DA04 ,  5F051GA03 ,  5F051GA14

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 光電変換装置作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-179181   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平2-164077
  
• 特開平2-164077