特許

J-GLOBAL ID：200903074708911037

炭化珪素単結晶、炭化珪素基板および炭化珪素単結晶の製造方法

発明者： 塩見 弘 ,  木下 博之
出願人/特許権者： 株式会社シクスオン ,  関西電力株式会社 ,  住友電気工業株式会社 ,  三菱商事株式会社
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-316458
公開番号（公開出願番号）：特開2006-124245
出願日： 2004年10月29日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：

【課題】 高抵抗率を示すSiC単結晶とSiC基板を提供し、高抵抗率を示すSiC単結晶を安定して製造することができるSiC単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 アクセプタとしての機能を有する第1ドーパントと、ドナーとしての機能を有する第2ドーパントとを含むSiC単結晶であって、第1ドーパントの含有量が5×1015個/cm3以上であり、第2ドーパントの含有量が5×1015個/cm3以上であって、第1ドーパントの含有量が第2ドーパントの含有量よりも多いSiC単結晶である。炭素と珪素とを含む材料中に金属ホウ化物を混合して原料を作製する工程と、原料を気化させる工程と、炭素と珪素とホウ素と窒素とを含む混合ガスを生成する工程と、混合ガスを種結晶基板の表面上で再結晶させてホウ素と窒素とを含む炭化珪素単結晶を種結晶基板の表面上に成長させる工程とを含む、炭化珪素単結晶の製造方法である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

アクセプタとしての機能を有する第1ドーパントと、ドナーとしての機能を有する第2ドーパントと、を含む炭化珪素単結晶であって、前記第1ドーパントの含有量が5×1015個/cm3以上であり、前記第2ドーパントの含有量が5×1015個/cm3以上であって、前記第1ドーパントの含有量が前記第2ドーパントの含有量よりも多いことを特徴とする、炭化珪素単結晶。

IPC (1件)：

C30B 29/36

FI (1件)：

C30B29/36 A

Fターム (10件)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB06 ,  4G077BE08 ,  4G077DA18 ,  4G077EB01 ,  4G077EC02 ,  4G077EC07 ,  4G077HA12 ,  4G077SA01

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 米国特許5611955号明細書
  
• バナジウム占有の無い半絶縁性炭化珪素
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-620157   出願人：クリーインコーポレイテッド
• 炭化珪素単結晶及びその製造方法並びに炭化珪素単結晶育成用炭化珪素結晶原料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-301935   出願人：新日本製鐵株式会社

審査官引用 (3件)

• 低ドーピング半絶縁性SiC結晶と方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2007-520433   出願人：トゥー-シックス・インコーポレイテッド
• 炭化珪素単結晶および単結晶ウェハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-179382   出願人：新日本製鐵株式会社
• 単結晶炭化珪素インゴット及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-223986   出願人：新日本製鐵株式会社