特許

J-GLOBAL ID：200903074711438172

半導体集積回路装置

発明者： 日▲高▼ 光守
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 大日方 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-276537
公開番号（公開出願番号）：特開平7-131011
出願日： 1993年11月05日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】 静電気耐圧の高いMOSトランジスタの構造、並びに、該トランジスタを用いた静電保護回路を提供する。【構成】 入力パッド1と内部回路との間に形成された抵抗11とMOSトランジスタ12とによって静電保護回路が形成されている。静電保護回路のクランプ型MOSトランジスタ12は、ソース・ドレイン領域13を囲繞するように、そのゲート電極14が、少なくとも内側が5角形以上の多角形のリング状に形成されている。このMOSトランジスタ12では、ソース・ドレイン領域13に多大な電荷が一時に流れ込んだときに、ゲート電極14内側のコーナーエッジ部分に電界集中が起きることがなく、その静電耐圧が向上する。

請求項（抜粋）：

ソース領域又はドレイン領域を囲繞するように、ゲート電極が、少なくとも内側が5角形以上の多角形のリング状に形成されたMOSトランジスタを具えてなることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/06

FI (4件)：

H01L 29/78 301 K ,  H01L 27/04 H ,  H01L 27/06 311 A ,  H01L 27/06 311 C