特許
J-GLOBAL ID：200903074712729260
レーザアニール装置および薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-278688
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102323
出願日： 1999年09月30日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：
【要約】【課題】 結晶化工程において、レーザ光の照射エネルギー密度の強弱により、形成される多結晶半導体膜の特性が異なり、実際に非晶質半導体膜に照射されるレーザ光の強度が設定値からのズレた場合に半導体膜の特性差が生じる。また、レーザ光のエネルギー密度はレーザ光の強度のみでは決定せず、レーザ光強度の場所的分布の変動によっても半導体膜の特性差が生じる。【解決手段】 レーザアニール装置にレーザ強度とプロファイル測定の位置と方法を変更することにより、測定精度を向上し、また、リアルタイムに測定する機構およびフィードバック制御を導入した。
請求項（抜粋）：
非結晶質半導体膜に対しレーザ光を照射し、結晶質半導体膜を形成するレーザアニール装置であって、レーザ光を折り返すミラーとして、レーザ光の強度の一定の割合を透過するミラーを用い、ミラーを透過したレーザ光の強度を測定する機構を具備することを特徴とするレーザアニール装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/268 T
, H01L 21/20
5F052AA02
, 5F052BA18
, 5F052BB07
, 5F052CA07
, 5F052DA02
, 5F052DB02
, 5F052DB03
, 5F052EA11
, 5F052EA15
, 5F052EA16
, 5F052JA01
