特許

J-GLOBAL ID：200903074713879737

検査装置および半導体検査方法

発明者： 三浦 博
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-131086
公開番号（公開出願番号）：特開平10-318949
出願日： 1997年05月21日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】【課題】 配線抵抗の変化によらずに不良箇所を検出することができる検査装置を提供する。【解決手段】 走査型電子顕微鏡(SEM)1の電子銃2から電子線を照射するとともに、半導体装置3を載せ置いた試料ステージ4を移動させることにより半導体装置3上に前記電子線の照射スポットを走査する。半導体装置3に電子線が照射されると、ヴィアホールに充填されているAlの量に応じた特定X線が生じるので、その強度を検出器5にて検出する。検出器5にて検出された或るビアホールのAlの特定X線強度が、正常にAlが充填されているヴィアホールにおけるAlの特定X線強度よりも少なければ、そのヴィアホールにはボイド等が生じている。Alの特定X線強度による不良判断は不良判断部7で行う。不良情報は画像処理部8により処理され、画像表示部9に表示される。

請求項（抜粋）：

電子線を照射する手段と、前記電子線を試料の任意の位置に照射させる走査手段と、電子線が照射された位置に存在している特定の物質の量に依存する特性X線強度を検出する検出手段と、検出された特性X線強度をモニターするモニター手段とを備えたことを特徴とする検査装置。

IPC (3件)：

G01N 23/225 ,  H01J 37/256 ,  H01L 21/66

FI (4件)：

G01N 23/225 ,  H01J 37/256 ,  H01L 21/66 Z ,  H01L 21/66 J