特許

J-GLOBAL ID：200903074715624426

半導体物品の製造方法

発明者： 市川 武史 ,  坂口 清文 ,  中山 潤 ,  成瀬 泰弘 ,  山方 憲二 ,  坂本 勝 ,  米原 隆夫
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-298215
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275664
出願日： 1992年10月12日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】 複雑な作業工程を必要とすることなく絶縁層上に良質の半導体層が形成された半導体物品を歩留り良く且つ低コストで製造できる半導体物品の製造方法を提供する。【構成】 多孔質半導体領域12上に非多孔質の半導体層13を有する第1の基体11を用意し、前記第1の基体の前記半導体層13側の表面に凹凸を形成し、前記第1の基体の前記凹凸の形成された表面を第2の基体15の表面16に接触するように貼合わせ、前記半導体層13が前記第2の基体に貼合わされた状態において、前記多孔質半導体12を除去し、前記半導体層13を前記第1の基体11から前記第2の基体15に転写(transfer)する、ことを特徴とする半導体物品の製造方法。

請求項（抜粋）：

多孔質半導体領域上に非多孔質の半導体層を有する第1の基体を用意し、前記第1の基体の前記半導体層側の表面に凹凸を形成し、前記第1の基体の前記凹凸の形成された表面を第2の基体の表面に接触するように貼合わせ、前記半導体層が前記第2の基体に貼合わされた状態において、前記多孔質半導体を除去し、前記半導体層を前記第1の基体から前記第2の基体に転写(transfer)する、ことを特徴とする半導体物品の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/76