特許

J-GLOBAL ID：200903074715895390

半導体装置

発明者： 川路 博之
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-006950
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211868
出願日： 1994年01月26日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：

【要約】【目的】 パッケージング後もしくは実装後でも機能変更が可能な半導体装置を提供する。【構成】 外部端子2に接続された機能選択ブロック3内の不揮発性素子に情報を書き込み、書き込まれた情報により内部の機能ブロック4a,4bから必要とする機能を持つブロックのみを活性化させ目的の機能を実現する。書き込み制御端子1は、機能選択ブロック3に接続されており、外部端子2と機能ブロック4a,4b間の情報を授受を制御する機能選択ブロック3内の不揮発性素子の書き込み動作の制御を行う。機能選択ブロック3は、機能ブロック4a,4bに接続しており、不揮発性素子のデータによりいずれかの機能ブロックを活性化させる。機能ブロック4aおよび4bが相互に他の機能ブロックの代替を行う場合には、各機能ブロック4a,4bの欠陥救済が可能となる。

請求項（抜粋）：

外部端子からの電気信号で内部の電気的接続状態を変更する不揮発性記憶手段を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  G11C 16/06 ,  G11C 29/00 301 ,  H01L 21/82 ,  H01L 27/10 491

FI (4件)：

H01L 27/04 M ,  G11C 17/00 309 G ,  H01L 21/82 A ,  H01L 21/82 S