特許

J-GLOBAL ID：200903074717672827

GaAsショットキーバリアダイオード

発明者： 石山 修
出願人/特許権者： 株式会社島津製作所
代理人 (1件)： 西田 新
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-170844
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013602
出願日： 1992年06月29日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：

【要約】【目的】 GaAs層上に界面安定性が高く、安定した高耐圧性を有し、素子特性の向上したショットキーバリアダイオードを提供する【構成】 第1導電型のGaAsエピタキシャル層表面上のショットキー電極の周囲側壁部を囲むようそのGaAsエピタキシャル層上に、第2導電型のAlGaAs層、もしくはノンドープトAlGaAs層が設けられたRESP構造とする。

請求項（抜粋）：

第1導電型のGaAs基板上に形成されている第1導電型のGaAsエピタキシャル層表面上にショットキー電極が設けられ、そのショットキー電極の周囲側壁部を囲むよう上記GaAsエピタキシャル層上に、第2導電型のAlGaAs層、もしくはノンドープトAlGaAs層が設けられてなるGaAsショットキーバリアダイオード。