特許
J-GLOBAL ID：200903074719141845
アクティブデバイスの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小野寺 洋二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-100810
公開番号（公開出願番号）：特開平5-297416
出願日： 1992年04月21日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：
【要約】【目的】 安価で生産性が高いアクティブデバイス素子を得る。【構成】 絶縁基板上に印刷,焼成したMODの金属有機物ペーストを印刷して金属電極膜を形成する第1工程10と、これをフォトリソエッチングして第1の電極を形成する第2工程20と、この上にMODの強誘電体ペーストを印刷,焼成して強誘電体層を形成する第3工程30と、MODのITOペーストを印刷し,焼成して金属電極膜を形成する第4工程40と、強誘電体層をフォトリソエッチング処理することにより第2の電極を形成する第4工程50とを含む。【効果】 高精度大面積の液晶パネル等に適用して好適なアクティブデバイスを安価で生産性の高いMODプロセスで得ることができる。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に形成された第1の電極と、前記第1の電極を覆って積層された強誘電体層と、前記第1の電極に前記強誘電体層を介して対向するごとく形成された第2の電極とを備えたアクティブデバイスの製造方法において、前記絶縁基板上にMODの金属有機物ペーストを印刷し、これを焼成して金属電極膜を形成する第1工程と、前記金属電極膜を所定のパターンを持つ露光マスクを介して露光し,現像するフォトリソエッチング処理することにより前記第1の電極を形成する第2工程と、前記第1の電極を形成した前記絶縁基板を覆ってMODの強誘電体ペーストを印刷し、これを焼成して強誘電体層を形成する第3工程と、前記強誘電体層の上にMODのITOペーストを印刷し、これを焼成して金属電極膜を形成する第4工程と、前記強誘電体層を所定のパターンを持つ露光マスクを介して露光し,現像するフォトリソエッチング処理することにより前記第2の電極を形成する第5工程と、を含むことを特徴とするアクティブデバイスの製造方法。
IPC (3件)：
G02F 1/136 510
, H01L 27/01 301
, H01L 49/02
