特許
J-GLOBAL ID：200903074723480875
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-249225
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087521
出願日： 1997年09月12日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】 ヒューズピッチを広げることなく、レーザー光線で目的のヒューズのみを高効率で溶断すること。【解決手段】 ヒューズ開口部の底面の層間絶縁膜に埋没して複数のヒューズを形成しておき、その後、前記層間絶縁膜をエッチングしてヒューズの上部を露出する。次に、適当な方法で絶縁膜をヒューズ上でレンズ状になるように堆積して、ヒューズの上面に絶縁膜によりレンズ部を形成する。ヒューズをレーザートリミングする際、レーザー光線が目的のヒューズの上部にあるレンズ部に照射されるようにすると、このレンズ部によりレーザー光線がヒューズ上に集光してそのエネルギーがヒューズに集中される。これによりヒューズピッチを狭くするためにヒューズが細かくなっていても、目的のヒューズのみを隣接するヒューズに影響を与えることなく、容易に溶断することができると共にレーザー光線をレンズで集光するため、高い溶断率を得ることができる。
請求項（抜粋）：
半導体チップの表面に形成された層間絶縁膜に設けられた凹部状の開口部と、この開口部の底部の層間絶縁膜に上部が露出するように埋設された少なくとも1本以上のヒューズと、このヒューズの露出面及びその周囲に堆積され、特に前記ヒューズの露出面上にレンズ状に盛り上がって堆積される絶縁膜により形成されるレンズ部と、を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/82
, H01L 27/10 491
H01L 21/82 F
, H01L 27/10 491
, H01L 21/82 R
