特許
J-GLOBAL ID：200903074723815354

サイクロトロンで加速するビームの位相幅制限方法および位相幅制限装置

発明者：
佐々木 雄一朗

佐々木 雄一朗 について

, 
畑中 吉治

畑中 吉治 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-185756
公開番号（公開出願番号）：特開2004-031115
出願日： 2002年06月26日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：
【課題】サイクロトロンにおけるビームの位相幅を制限して、且つ、透過率を向上してビーム電流値を大きくする位相幅制限方法および位相幅制限装置を提供する。【解決手段】ディ-電極間のギャップを通過するときに高周波加速電圧を印加して、且つ、ディ-電極間のギャップで印加したものと位相が異なる高周波加速電圧を印加できる加速電圧印加部と、粒子を遮断するビーム遮断部を少なくとも有し、加速電圧印加部、又は、ビーム遮断部の少なくとも一方は移動操作可能なことを特徴とする構成のサイクロトロンとする。加速電圧印加部はサイクロトロンの中心方向に開口部を持つ電極を少なくとも有することが望ましい。移動操作はサイクロトロンの真空を破ることなく外部からの操作で行える方が望ましい。【選択図】 図7
請求項（抜粋）：
ディ-電極間のギャップを通過するときに高周波加速電圧を印加して、且つ、ディ-電極間のギャップで印加したものと位相が異なる高周波加速電圧を印加できる加速電圧印加部と、粒子を遮断するビーム遮断部を少なくとも有し、加速電圧印加部、又は、ビーム遮断部の少なくとも一方は移動操作可能なことを特徴とするサイクロトロン。
IPC (3件)：
H05H13/00 ,  A61K49/00 ,  H05H7/02
FI (3件)：
H05H13/00 ,  A61K49/00 A ,  H05H7/02
Fターム (12件)：
2G085AA11 ,  2G085BA02 ,  2G085BA06 ,  2G085BA13 ,  2G085BA16 ,  2G085BB11 ,  2G085BE03 ,  2G085CA12 ,  2G085CA18 ,  2G085CA22 ,  2G085EA06 ,  4C085HH03
引用特許：
審査官引用 (2件)
引用文献：
審査官引用 (3件)

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