特許

J-GLOBAL ID：200903074725240324

改良型自己整合型コンタクトプロセス

発明者： チュ-シア ウエイ
出願人/特許権者： エスジーエス-トムソン マイクロエレクトロニクス, インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 小橋 一男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-293603
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283359
出願日： 1992年11月02日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 製造プロセスの複雑性を著しく増加させることなしに、より平坦なトポグラフィ即ち地形的形状となる自己整合型コンタクトの製造方法を提供する。【構成】 自己整合型コンタクトの製造方法は、導電層16の上表面上に形成した薄い絶縁層を利用する。該絶縁層上にバリア層34を付着形成し、且つ次いでゲート電極を画定する。ゲート電極の垂直側壁に沿って側壁スペーサを形成する。側壁スペーサの形成期間中に、バリア層がゲート電極を保護する。次いで、第二絶縁層を付着形成し且つ基板に対してビアを開口する。このビア内に導電性物質を付着形成することによりコンタクトを形成することが可能である。

請求項（抜粋）：

自己整合型コンタクトの製造方法において、第一絶縁層とその上表面上にバリア層とを具備するゲート電極を形成し、前記ゲート電極に沿って側壁スペーサを形成し、その場合に前記側壁スペーサの形成期間中に前記バリア層が前記ゲート電極を保護し、装置上に第二絶縁層を付着形成し、前記第二絶縁層を介してビアを開口する、上記各ステップを有することを特徴とする方法。

IPC (5件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/90 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784