特許
J-GLOBAL ID：200903074726957265
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-209039
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047942
出願日： 1991年08月21日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：
【要約】【目的】多層配線構造の半導体集積回路において、層間絶縁膜を下層層間絶縁膜と上層層間絶縁膜とに分けて、それらの間に塗布絶縁膜を挟んで平坦化を図るものがある。熱履歴によって塗布絶縁膜内の気体が膨張して、上層層間絶縁膜を破裂させて飛び散りパーティクルが発生するのを防ぐ。【構成】下層配線1を分断して、スルーホール11を介して上層配線7で電気的に接続する。下地工程および配線工程で形成された狭い凹部Aを広い凹部Bに接続する。層間絶縁膜内の塗布絶縁膜から発生する気体を狭い凹部Aから広い凹部Bに逃がす。狭い凹部Aの層間絶縁膜内の気体の発生による圧力を緩和して、上層層間絶縁膜のふくれを防止できる。
請求項（抜粋）：
フィールド酸化膜および下層配線が形成された半導体基板の一主面上の狭い凹部領域を広い凹部領域に連結させて、下層層間絶縁膜、塗布絶縁膜、上層層間絶縁膜、上層配線が順次積層された半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/90
, H01L 21/3205
