特許

J-GLOBAL ID：200903074732139701

Si結晶、結晶成長方法および結晶成長装置

発明者： 福田 哲生
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-233957
公開番号（公開出願番号）：特開平7-089789
出願日： 1993年09月20日
公開日（公表日）： 1995年04月04日
要約：

【要約】【目的】 結晶欠陥を制御したSi結晶、その製造方法、製造装置およびSi結晶を用いた機構に関し、低炭素濃度のシリコン結晶を提供することを目的とする。【構成】 Siソース材料を収容するための石英製るつぼと、前記石英製るつぼを保持するためのグラファイト製るつぼと、前記グラファイト製るつぼの全表面を覆い、SiC、TiC、NbC、TaC、ZrCおよびこれらの混合物のいずれかで形成されたグラファイト製るつぼコーティングと、前記石英製るつぼの少なくともグラファイト製るつぼと接触する面を覆い、溶融Siと接する面は露出する窒化シリコン製コーティングとを有する。

請求項（抜粋）：

Siソース材料を収容するための石英製るつぼ(1)と、前記石英製るつぼを保持するためのグラファイト製るつぼ(3)と、前記グラファイト製るつぼ(3)の全表面を覆い、SiC、TiC、NbC、TaC、ZrCおよびこれらの混合物のいずれかで形成されたグラファイト製るつぼコーティング(4)と、前記石英製るつぼ(1)の少なくともグラファイト製るつぼと接触する面を覆い、溶融Siと接する面は露出する窒化シリコン製コーティング(2)とを有するSiの結晶成長装置。

IPC (5件)：

C30B 15/12 ,  C30B 15/00 ,  C30B 15/14 ,  C30B 29/06 ,  C30B 29/06 502