特許
J-GLOBAL ID：200903074738869957

セラミック回路基板

発明者：
前田 昌克

前田 昌克 について

, 
宮原 健一郎

宮原 健一郎 について


出願人/特許権者：
株式会社トクヤマ

株式会社トクヤマ について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-295642
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153866
出願日： 1993年11月25日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：
【要約】 (修正有)【構成】 Agを主成分とする被膜が施されてなるCuを主成分とする導体とセラミック体とが接合してなるセラミック回路基板。【効果】 1.酸化雰囲気においても導体の主成分であるCuが酸化されない。2.Agを主成分とする被膜部に、ワイヤボンディングを行うとき或いはガラスによる封止をおこなうとき、450°C以下の温度領域においても、ボンディング部の接合強度及び電気抵抗値は好適な値であって、半導体素子を搭載するセラミック回路基板として有用である。3.Cuを主成分とする導体に直接ワイヤボンディングした場合に生じていたCuとワイヤ成分、例えばAlとの金属間化合物の発生を防止することができる。
請求項（抜粋）：
Cuを主成分とする導体とセラミック体とが接合してなるセラミック回路基板であって、前記導体の表面上にAgを主成分とする被膜が施されてなるセラミック回路基板。
IPC (3件)：
H01L 23/12 ,  H05K 1/09 ,  H05K 3/24
引用特許：
審査官引用 (3件)

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