特許

J-GLOBAL ID：200903074753492134

イオン交換膜およびその製造方法

発明者： 奥山 和雄 ,  内 幸彦
出願人/特許権者： 旭化成工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-143691
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340031
出願日： 1999年05月24日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 膜上に物理的欠陥を生じさせず、また、製膜操作が容易で、低い電気抵抗を有するイオン交換膜と、その製造方法を提供する。【解決手段】 一種または二種以上の官能基を有する一種または二種以上の含フッ素重合体からなるイオン交換膜が、少なくとも3層以上に積層された構造を有し、該イオン交換膜表面の少なくとも一方の最外層が、その直下に位置する層より大きなイオン伝導度を有するイオン交換膜。該イオン交換膜の官能基はスルホン酸基、カルボン酸基のうち少なくとも一つであることが好ましい。

請求項（抜粋）：

少なくとも3層の、一種又は二種以上の官能基を有する一種または二種以上の含フッ素重合体からなる膜であって、膜表面の少なくとも一方の最外層がその直下に位置する層より大きなイオン伝導度を有するイオン交換膜。

IPC (10件)：

H01B 1/06 ,  B01J 39/20 ,  B01J 47/12 ,  C08F 14/18 ,  C08J 5/22 CEW ,  C08J 5/22 101 ,  C25B 13/08 302 ,  C25B 13/08 303 ,  H01M 8/02 ,  C08L 27:12

FI (9件)：

H01B 1/06 A ,  B01J 39/20 A ,  B01J 47/12 C ,  C08F 14/18 ,  C08J 5/22 CEW ,  C08J 5/22 101 ,  C25B 13/08 302 ,  C25B 13/08 303 ,  H01M 8/02 P

Fターム (43件)：

4F071AA26 ,  4F071AA27X ,  4F071AA30 ,  4F071AA30X ,  4F071AF37 ,  4F071AH15 ,  4F071FA05 ,  4F071FA06 ,  4F071FB01 ,  4F071FC03 ,  4F071FD02 ,  4J100AA02Q ,  4J100AC03Q ,  4J100AC22Q ,  4J100AC24Q ,  4J100AC25Q ,  4J100AC26Q ,  4J100AC27Q ,  4J100AC30Q ,  4J100AC31Q ,  4J100AE09P ,  4J100BA16P ,  4J100BA19P ,  4J100BA20P ,  4J100BA40P ,  4J100BA56P ,  4J100BA57P ,  4J100BA59P ,  4J100BB01P ,  4J100BB03P ,  4J100BB12P ,  4J100BB13P ,  4J100BB18P ,  4J100CA04 ,  4J100DA55 ,  4J100JA16 ,  5G301CA30 ,  5G301CD01 ,  5H026AA06 ,  5H026CX05 ,  5H026EE19 ,  5H026HH03 ,  5H026HH06