特許

J-GLOBAL ID：200903074757292776

電磁波吸収体

発明者： 橋本 修 ,  花澤 理宏 ,  山下 正巳 ,  大島 洋晃
出願人/特許権者： 東洋化学株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-003432
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196782
出願日： 2000年01月12日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：

【要約】【課題】従来の電磁波吸収体ではITOの酸化の度合いによって抵抗値にバラツキが生じるため、製品歩留まりが低い。また、ITOをベースフイルムに蒸着する際、反応性スパッタリングで蒸着するが、これでは製膜速度が遅いため、製造に時間がかかる。【解決手段】電磁波吸収体として、前面層2としての抵抗皮膜塗料を製膜し、背面層4として電磁波反射体を配置し、前面層2と背面層4の間に両者を一定間隔に保持するためのスペーサ1を配置する。

請求項（抜粋）：

前面層(2)として抵抗皮膜塗料が製膜され、背面層(4)として電磁波反射体が配置され、該前面層(2)と該背面層(4)の間には両者を一定間隔に保持するためのスペーサ(1)が配置されていることを特徴とする電磁波吸収体。

Fターム (3件)：

5E321BB23 ,  5E321BB25 ,  5E321GG11