特許
J-GLOBAL ID：200903074761543058
アクティブマトリクス基板およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志村 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-256510
公開番号（公開出願番号）：特開平7-092493
出願日： 1993年09月20日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】【目的】 隣接するトランジスタ素子間での電流リークがなく、また、製造工程におけるアライメント作業も容易になるアクティブマトリクス基板を提供する。【構成】 横方向に伸びる第1の配線層1と縦方向に伸びる第2の配線層2とが多数配列され、碁盤目状の区画が形成され、1区画には表示電極層7が設けられる。第2の配線層2上の信号電荷を表示電極層7に出し入れするために、第3の配線層3および第4の配線層4が設けられる。配線層1の上部には、絶縁層を介してチャネル層Cが各区画ごとに独立して島状に形成されており、このチャネル層Cの上に、配線層2,3,4が立体交差している。立体交差地点P,Qはソース電極層Sを構成し、立体交差地点Rはドレイン電極層Dを構成する。
請求項（抜粋）：
少なくとも上面が絶縁性の基板上に第1の電極層を形成し、この第1の電極層形成領域を含めた基板全面に絶縁層を形成し、この絶縁層の上面に半導体からなるチャネル層を形成し、このチャネル層の一方に第2の電極層を、他方に第3の電極層を、それぞれ電気的に接触させ、前記第1の電極層の電位により、前記第2の電極層と前記第3の電極層との間の導通状態を制御する能動素子を形成したアクティブマトリクス基板において、前記基板の上面に、それぞれ第1の方向に沿って線状に伸びる第1の配線層を複数本配置し、この第1の配線層形成領域を含めた基板全面に絶縁層を形成し、半導体からなるチャネル層を、前記第1の配線層に沿って島状に点在し、かつ、前記第1の方向に対して直交する第2の方向に並ぶように、前記絶縁層上に形成し、前記基板の上面に平行でかつ前記第2の方向に沿って線状に伸びる第2の配線層を、前記絶縁層を介して前記第1の配線層と立体的に交差するように、かつ、前記第2の方向に並んだ複数のチャネル層に電気的に接続するように、複数本配置し、前記第1の配線層と前記第2の配線層との交差点から前記第1の方向に所定距離だけ離れた前記第1の配線層上の地点において、前記第1の配線層に対して前記絶縁層を介して立体的に交差し、かつ、前記第1の配線層と前記第2の配線層との交差点に位置するチャネル層と同一のチャネル層に電気的に接続する第3の配線層を設け、前記第1の配線層と前記第2の配線層との交差点と、前記第1の配線層と前記第3の配線層との交差点と、の間に位置する前記第1の配線層上の地点において、前記第1の配線層に対して絶縁層を介して立体的に交差し、かつ、前記第1の配線層と前記第2の配線層との交差点に位置するチャネル層と同一のチャネル層に電気的に接続する第4の配線層を設け、前記第1の配線層の一部を前記第1の電極層として用い、前記第2の配線層と前記第3の配線層とを接続し、これらの一部を前記第2の電極層として用い、前記第4の配線層の一部を前記第3の電極層として用いるようにしたことを特徴とするアクティブマトリクス基板。
IPC (3件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/1343
, H01L 29/786
