特許
J-GLOBAL ID:200903074762256168

レーザーによる回路形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 古谷 馨 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-193450
公開番号(公開出願番号):特開平9-102668
出願日: 1996年07月23日
公開日(公表日): 1997年04月15日
要約:
【要約】【課題】 表面に正確な導電回路を有する成形品を、効率よく製造する方法を提供する。【解決手段】 合成樹脂成形品表面に形成した金属薄膜をレーザー光により除去して回路形成を行う方法において、表面の明度(L値)が40以下である金属薄膜を用い、あるいは金属薄膜の表面の明度(L値)を40以下にした後、レーザー加工を行う。
請求項(抜粋):
合成樹脂成形品表面に形成した金属薄膜をレーザー光により除去して回路形成を行う方法において、表面の明度(L値)が40以下である金属薄膜を用い、レーザー加工を行うことを特徴とするレーザーによる回路形成方法。
引用特許:
審査官引用 (4件)
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