特許

J-GLOBAL ID：200903074768610672

半導体基板のエッチング方法

発明者： 野尻 秀智 ,  岩崎 靖和
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-094084
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310489
出願日： 1993年04月21日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：

【要約】【目的】半導体装置を形成すべき領域の半導体基板の厚さを任意の所望値に処理することができるエッチング方法を提供することにある。【構成】基板101の表面に半導体装置を形成すべき領域を囲んで所定の深さの絶縁用溝105を設け、溝で区分された領域の内外に電極112、113を設け、前記領域内の電極113を電源の陽極に、前記領域外の電極112および電解液内に設置する対向電極118を電源の陰極に接続して基板裏面から電解エッチングを行い、エッチングが上記溝の底部に達した状態では、領域外部の電極へ流れる電流値が格段に減少することを利用して電源の出力電圧制御を行い、エッチングを電気化学的に停止させる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の半導体装置を形成させようとする表面に、半導体装置を形成すべき領域を囲んで所定の深さと処理時印加電圧の絶縁に有効な幅を持つ溝を形成させ、この溝により区分された上記領域の内部および外部に、それぞれエッチング用電解電流供給のための電極を設けてから、半導体基板の半導体装置を形成させない裏面を、少なくとも半導体装置形成領域に対応する個所に、半導体基板裏面に平行に対向させて電極板を沈めて設置してある電解液中に浸漬し、上記半導体装置形成領域の内部に設けた電極を、出力電圧が予め定めた手順に従って制御される電解電源の陽極に、上記半導体装置形成領域の外部に設けた電極を直接上記電解電源の陰極に、さらに上記対向電極板を所定値の抵抗を介して上記電解電源の陰極に接続して、電解エッチングを行わせ、上記半導体装置形成領域の外部に設けた電極に流れる電流が所定値以下に減少または其の回路の抵抗が所定値以上に上昇したことが検出されたときは、上記電解電源の出力電圧が上記手順に従って制御され、上記半導体基板の半導体装置形成領域対応部分の裏面に対するエッチングが電気化学的に停止されることを特徴とする半導体基板のエッチング方法。