特許
J-GLOBAL ID：200903074774468136
半導体ウェハの研磨方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
泉名 謙治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-229292
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061203
出願日： 1992年08月05日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：
【要約】【目的】半導体ウェハの研磨において、非研磨面の汚染を防止しかつ半導体ウェハの厚み偏差を改善する。【構成】ウェハ載置用プレート1と穴部2aを有するテンプレート2からなる治具に半導体ウェハ10を前記穴部2aに配設し、半導体ウェハ10の非研磨面とウェハ載置用プレート1との間にグリセリン等の緩衝材4を介在させ、半導体ウェハ10をウェハ載置用プレート1に接合させて半導体ウェハ10の一方の研磨面を研磨する。
請求項（抜粋）：
半導体ウェハの一方の面を非研磨面とし、この非研磨面と半導体ウェハ載置用プレートとの間に水よりも粘性が高い緩衝材を介在させて半導体ウェハを研磨用プレートに接合させ、半導体ウェハの残る他方の面を研磨面とし、半導体ウェハに対して相対的に摺動する研磨具にこの研磨面を当接させ、半導体ウェハの研磨面を研磨することを特徴とする半導体ウェハの研磨方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 321
, B24B 37/04
