特許

J-GLOBAL ID：200903074776007233

強磁性トンネル接合素子

発明者： 荒井 礼子 ,  川戸 良昭 ,  渡辺 克朗
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-244755
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068760
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：

【要約】【課題】強磁性トンネル接合を用いた磁気抵抗センサにおいて、強磁性層と反強磁性との交換相互作用を得るための熱処理や、素子作製工程中の熱処理に伴うトンネル抵抗の増大及び磁気抵抗効果の低下を抑制し、均一性、再現性のあるトンネル磁気抵抗センサを提供する。【解決手段】強磁性トンネル接合を用いた磁気抵抗センサにおいて、強磁性層とトンネル障壁層との少なくとも一方の界面にCo系あるいはCoFe系のアモルファス強磁性層を設けることにより達成できる。

請求項（抜粋）：

第1の強磁性層と第2の強磁性層との間にトンネル障壁層を挟んだ構造を持つ強磁性トンネル接合であって、上記強磁性層とトンネル障壁層との間の少なくとも一方にアモルファス強磁性層を設けていることを特徴とする強磁性トンネル接合素子。

IPC (3件)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/30

FI (3件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/30

Fターム (14件)：

5D034BA03 ,  5D034BA18 ,  5D034BA21 ,  5D034CA03 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AC01 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5E049BA12 ,  5E049DB04 ,  5E049DB14