特許

J-GLOBAL ID：200903074777364404

半導体レーザ素子の製造方法、及び半導体レーザ素子の実装方法

発明者： 東出 啓
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-117479
公開番号（公開出願番号）：特開2000-307183
出願日： 1999年04月26日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：

【要約】【課題】 コーティング膜形成後にレーザバー同士を容易に離脱させることを可能とする。【解決手段】 半導体基板上に、レーザ素子をなし、光導波路を含む積層構造を形成する工程と、前記半導体基板を、複数個のバー状に劈開し、このレーザバーの劈開面上にコーティング膜を形成する工程と、を少なくとも含む半導体レーザ素子の製造方法において、前記レーザバーの劈開面の一方の角の部分を取り除き、角の取り除かれた部分が同一方向に向くよう、複数のレーザバーを並べて配置して、前記劈開面上にコーティング膜を形成してなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、レーザ素子をなし、光導波路を含む積層構造を形成する工程と、前記半導体基板を、複数個のバー状に劈開し、このレーザバーの劈開面上にコーティング膜を形成する工程と、を少なくとも含む半導体レーザ素子の製造方法において、前記レーザバーの劈開面の一方の角の部分を取り除き、角の取り除かれた部分が同一方向に向くよう、複数のレーザバーを並べて配置して、前記劈開面上にコーティング膜を形成してなることを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。

Fターム (8件)：

5F073AA74 ,  5F073AA81 ,  5F073CA14 ,  5F073DA30 ,  5F073DA32 ,  5F073DA33 ,  5F073DA34 ,  5F073EA27