特許
J-GLOBAL ID：200903074782272330
突起電極とその製造法及びその突起電極を用いた実装体
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-066762
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275485
出願日： 1992年03月25日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、加圧治具とLSIチップ、および回路基板との平行度の不十分さによる回路基板の電極とバンプとの接続不良、および樹脂の膨張による接続不良、および横方向等の応力によるバンプクラックを無くし接続不良無くチップを高密度に実装する方法を提供することを目的としている。【構成】 半導体素子1の電極3上に、中芯部がT字型の金属で形成された導通部でその周囲が柱状形の絶縁性樹脂8で形成された突起電極9を形成し、その突起電極9の導通部と半導体素子の電極13に対応した位置に配線電極13を有する回路基板11とを位置合わせし、絶縁性樹脂13を塗布し、絶縁性樹脂13により回路基板11と半導体素子1とを接合し、突起電極9の導通部と回路基板の配線電極12とを接触させる。【効果】 加圧治具とLSIチップ、および回路基板との平行度の不十分さによる回路基板の電極とバンプとの接続不良、および樹脂の膨張による接続不良、および横方向等の応力によるバンプクラックを無くし接続不良無くチップを高密度に実装することができる。
請求項（抜粋）：
中芯部に貫通孔を有する絶縁性樹脂からなる筒形絶縁部と、前記貫通孔内に埋設されるととに、前記円筒形絶縁部の上側に延在した金属とを備えてなることを特徴とする突起電極。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/321
H01L 21/92 C
, H01L 21/92 F
