特許
J-GLOBAL ID：200903074782452265
半導体装置の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-280369
公開番号（公開出願番号）：特開平10-106966
出願日： 1996年10月01日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：
【要約】【課題】 イオン注入により半導体基板に生じた結晶欠陥の回復過程を利用して、実質的に浅い接合深さをもつ不純物拡散層を形成する。【解決手段】 不純物拡散層を形成するに際して、シリコン半導体基板にイオン注入した後に、300°C以上500°C以下の比較的低温のアニール処理を施し、続いて800°C以上の比較的高温の急速アニール処理を施す。【効果】 急速アニール処理後には、濃度曲線Bに示すように、半導体基板の表面から深さ方向への不純物濃度分布において、その濃度分布のピークが、イオン注入直後(濃度曲線A)のピークに比して、浅い部位に位置する。従って、実質的に浅い接合深さをもつ不純物拡散層が形成される。
請求項（抜粋）：
半導体基板に不純物をイオン注入する第1の工程と、前記第1の工程後、前記半導体基板に対し300°C以上500°C以下の温度で第1の熱処理を行う第2の工程と、前記第2の工程後、前記半導体基板に対し800°C以上の温度で第2の熱処理を行う第3の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/265 602 Z
, H01L 29/78 301 S
