特許

J-GLOBAL ID：200903074783621443

GaAs系基板の表面処理方法

発明者： 岡島 武彦
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-261193
公開番号（公開出願番号）：特開2002-075986
出願日： 2000年08月30日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】 GaAs基板等のGaAs系基板表面の酸化膜を効率的に窒化処理してGaNを形成することができるGaAs系基板の表面処理方法の提供。【解決手段】 GaAs系基板の表面を強制酸化する第一の工程と、該第一の工程の後にGaAs系基板の表面を流水洗浄する第二の工程と、を有するGaAs系基板の表面処理方法であり、強制酸化の方法には、GaAs系基板を過酸化水素水に浸漬させる方法、GaAs系基板を酸素(O2)アッシングにより処理する方法がある。

請求項（抜粋）：

GaAs系基板の表面を強制酸化する第一の工程と、該第一の工程の後にGaAs系基板の表面を流水洗浄する第二の工程と、を有することを特徴とするGaAs系基板の表面処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/318

FI (4件)：

H01L 21/316 U ,  H01L 21/316 A ,  H01L 21/318 A ,  H01L 21/306 B

Fターム (13件)：

5F043AA03 ,  5F043AA40 ,  5F043BB27 ,  5F043BB30 ,  5F043GG10 ,  5F058BA06 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BF69 ,  5F058BF73 ,  5F058BF74 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ01