特許
J-GLOBAL ID:200903074791531453
導波路の作成方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-015094
公開番号(公開出願番号):特開平5-210019
出願日: 1992年01月30日
公開日(公表日): 1993年08月20日
要約:
【要約】【目的】 熱的なダメージを低減して導波路パターンを滑らかにする。【構成】 シリコン基板110に下部クラッド層125及びコア層を積層し、所定のパターンにしたがってその部分を残すようにドライエッチングして、導波路パターン180を形成する(図1(a)(b)(c))。炭酸ガスレーザからの光170を集光し、荒れた部分210を部分的に溶融する(図2(d))。光170及びレンズ160を走査して、ほかの荒れた部分210を部分的に溶融する。溶融した荒れた部分は、いったん溶融して丸く固化し滑らかなものになる(図2(e))。上部クラッド層120を堆積し焼結し、導波路パターン180を埋め込む(図2(f))。
請求項(抜粋):
基板上に下部クラッド層を形成後、前記下部クラッド層よりも屈折率の大きいコア層を形成したのち、所定の導波路パターンを設け、光源からの光を前記導波路パターンの荒れた部分に集光させて前記導波路パターンの荒れた部分を溶融したのちに、前記基板上にさらに前記導波路パターンよりも屈折率の小さいクラッド層を形成することを特徴とする導波路の作成方法。
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