特許

J-GLOBAL ID：200903074795735860

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： 早崎 裕一
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-397174
公開番号（公開出願番号）：特開2005-159119
出願日： 2003年11月27日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：

【課題】 素子分離領域の段差の増大を抑制しつつ、バーズビークの発生を抑制する。【解決手段】 端面が逆テーパ形状の開口部4をレジスト膜3に形成した後、開口部4が形成されたレジスト膜3をマスクとして、半導体基板1をエッチングすることにより、端面が逆テーパ形状の溝6を半導体基板1に形成し、酸化防止膜2をマスクとして、半導体基板1の熱酸化を行うことにより、素子分離用酸化膜7を溝6内に形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、 深さ方向に向かって幅が増大するように前記半導体基板に形成された溝と、 前記溝内に埋め込まれた素子分離用酸化膜とを備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L21/316 ,  H01L21/76

FI (2件)：

H01L21/94 A ,  H01L21/76 N

Fターム (23件)：

4M108AA02 ,  4M108AA05 ,  4M108AB06 ,  4M108AB09 ,  4M108AB10 ,  4M108AB13 ,  4M108AB14 ,  4M108AB23 ,  4M108AB27 ,  4M108AC01 ,  4M108AC34 ,  4M108AC39 ,  4M108AD01 ,  4M108AD05 ,  5F032AA01 ,  5F032AA14 ,  5F032BA01 ,  5F032BB01 ,  5F032CA05 ,  5F032CA09 ,  5F032DA02 ,  5F032DA23 ,  5F032DA53

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 集積回路内の局所フィールド酸化物を形成する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-077277   出願人：エヌ・シ-・ア-ル・インタ-ナショナル・インコ-ポレイテッド