特許
J-GLOBAL ID：200903074799937009
プラズマCVD法及びその装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-113336
公開番号（公開出願番号）：特開平5-311447
出願日： 1992年05月06日
公開日（公表日）： 1993年11月22日
要約：
【要約】【目的】大面積のアモルファスシリコン薄膜を高速に成膜できるプラズマCVD装置を提供する。【構成】反応容器1と、この反応容器1に反応ガスを導入し、排出する手段と、反応容器1内に収容された放電用電極2、3と、放電用電極2、3にグロー放電用電力を供給する電源4と、放電用電極2、3間の電界に直交し、かつ互いに直交する方向に軸芯をもつように、反応容器1をはさんで設置された2対のソレノイドコイル5a、5b、100a、100bと、これらのソレノイドコイルに磁界発生用電力を供給する交流電源とを有し、これらのソレノイドコイルに磁界発生用の電力を供給する交流電源103とを有し、放電用電極2、3間の電界と直交するように支持された基板10上にアモルファスシリコン薄膜を形成する。
請求項（抜粋）：
反応容器内に基板を設置して反応ガスを供給し、放電用電極間にグロー放電プラズマを発生させ、基板上に非晶質薄膜を形成するプラズマCVD法において、上記放電用電極間の電界に直交し、かつ互いに直交する2つの方向に磁界を印加することを特徴とするプラズマCVD法。
IPC (2件)：
引用特許：
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