光半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-217616
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055628
出願日： 1991年08月28日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【目的】この発明は、電流の注入効率が劣化することなしに、電流-光の変換効率を向上できる光半導体装置を提供しようとするものである。【構成】 N型の半導体層1と、P型の半導体層3とで構成される光電変換層内における表面電極5の近傍に、この表面電極5に接しないように、この光電変換層より高い比抵抗を有する絶縁層15を形成するようにしている。このようなものであると、表面電極5から注入された電流は、絶縁層15を避けてPN接合部13に供給されるようになるので、表面電極5の近傍においては、電流-光の変換が行われない。また、表面電極5と絶縁層15は互いに接しないので、電流の注入効率が落ちることもない。

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1の半導体層および第2導電型の第2の半導体層で構成される光電変換層を含む半導体基体と、前記半導体基体上に形成された、前記光電変換層のうち前記第1の半導体層に第1の電位を供給する第1の電極と、前記半導体基体上に形成された、前記光電変換層のうち前記第2の半導体層に前記第1の電位と異なる第2の電位を供給する第2の電極と、前記光電変換層うち前記第1の半導体層内に、前記第1の電極に接しないように形成され、かつ前記光電変換層より大きい比抵抗を有する高抵抗層と、を具備することを特徴とする光半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平4-107887
特開平2-181980
特開平3-089568

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