特許
J-GLOBAL ID：200903074811346178
半導体構造及び半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
薄田 利幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-015330
公開番号（公開出願番号）：特開平5-037081
出願日： 1991年02月06日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：
【要約】【目的】歪量と歪層の膜厚を独立に制御した半導体構造及びこのような半導体構造を有する半導体装置。【構成】基板と格子定数の異なる少なくとも2層の歪層部分と、歪層部分のバンドギャップエネルギーと等しいバンドギャップエネルギーを持ち、かつ基板と格子整合し、歪層部分の間に設けられた整合層部分とよりなる半導体構造及びこのような半導体構造を多重量子井戸構造の井戸層、障壁層等に有する半導体装置。
請求項（抜粋）：
基板と格子定数の異なる少なくとも2層の歪層部分と、該歪層部分の間に設けられた整合層部分とよりなる構造を有し、該整合層部分は、該歪層部分のバンドギャップエネルギーと等しいバンドギャップエネルギーを持ち、かつ該基板と格子整合することを特徴とする半導体構造。
IPC (2件)：
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