特許
J-GLOBAL ID：200903074811851883
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西教 圭一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-009516
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224218
出願日： 1993年01月22日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：
【要約】【目的】 半導体膜/ゲート絶縁膜間が連続的に形成された逆スタガ構造の高性能半導体装置を、容易にかつ短時間にて製造する。【構成】 透明なガラス基板1の一方表面1a上に、ゲート電極2、窒化シリコン膜3および多結晶シリコン膜4を順次形成する。ホスフィンなどを含むガス中にて、前記ガラス基板1の他方表面1bからXeClエキシマレーザー光6を1回照射する。多結晶シリコン(p-Si)膜4の活性領域7は、ゲート電極2の遮蔽効果によって加熱されず、p-Si膜4の他の領域8,9は、レーザー光6の照射によって加熱、溶融され、不純物がp-Si膜4中にドーピングされるとともに活性化され、ソース領域8およびドレイン領域9がゲート電極2に対して自己整合的に形成される。さらに、ソース電極10およびドレイン電極11を形成した後、絶縁膜12を形成して、nチャネル形p-SiTFT13が形成される。
請求項（抜粋）：
透光性基板の一方表面上に予め定める形状のゲート電極を形成する第1工程と、前記透光性基板およびゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する第2工程と、前記ゲート絶縁膜上に半導体膜を形成する第3工程と、前記半導体膜を構成する半導体材料に対してp形またはn形の不純物を含むガス中にて、前記透光性基板の他方表面から、前記ゲート電極をマスクとして、前記半導体膜を溶融または半溶融するに足りる強度を有する光線を、前記透光性基板の全面に照射する第4工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 21/22
