特許
J-GLOBAL ID：200903074828770895
表面処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-266068
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122539
出願日： 1993年10月25日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：
【要約】【構成】HF,F2,XeF2のようにフッ素を含む化学種1とH2O,H2のように水素を含む化学種2で、どちらか一つを解離吸着させた表面に、他方を20eV以下の低速イオンビームにして供給する。【効果】酸化膜表面に水素が解離吸着するとシリコンと酸素の結合が弱まり、エッチングされ易い状態になる。ここに低速のフッ素イオンを照射すると、酸素シリコン結合の電荷の偏りとイオンの間のクーロン力により、酸化膜が選択的にエッチングされる。イオンのエネルギを20eV以下にすると試料損傷がなくなりかつ選択性が高くなる。
請求項（抜粋）：
フッ素を含む化学種と水素を含む化学種を用いる表面処理法において、どちらか一つを解離吸着させた表面に、他方を20eV以下のイオンビームにして供給することを特徴とする表面処理方法。
FI (2件)：
H01L 21/302 F
, H01L 21/302 J
