Si発光素子とその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-230160
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077527
出願日： 1992年08月28日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【目的】発光が可能なヘテロダイオード型Si発光素子に関し、電気的にポーラスSi、すなわちSi量子細線束を発光させることができ、かつその脆弱さを補強した新規なSi発光素子およびその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 p型導電性を有する量子サイズ細線状のポーラスSi層と、n型導電性を有し、前記ポーラスSi層とpn接合を形成する導電性ポリマー層と、前記ポーラスSi層、導電性ポリマー層のそれぞれに対する電極とを有する。

請求項（抜粋）：

p型導電性を有する量子細線状のポーラスSi層(1)と、n型導電性を有し、前記ポーラスSi層とpn接合を形成する導電性ポリマー層(2)と、前記ポーラスSi層(1)、導電性ポリマー層(2)のそれぞれに対する電極(3)、(4)とを有するSi発光素子。

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